目前，我***深紫外光電探測技術(shù)由于受傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)等限制，仍存在易受環(huán)境影響、光電性能較差、器件響應速度和信號利用率難以兼顧等問題。

　　近日，合肥工業(yè)大學電子科學與應用物理學院科研團隊，成功研發(fā)出新型深紫外光電探測器，開創(chuàng)性地將透光性好、電子遷移率***且電阻率低的電子材料石墨烯和***質(zhì)量β-氧化鎵單晶片引入深紫外光電探測器中，并提出一種全新的器件MSM結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了對半導體與金屬電極接觸性能的大幅提升。器件光譜響應分析結(jié)果表明，該器件具有優(yōu)異的光譜選擇性，在深紫外光區(qū)域響應非常明顯。器件性能分析結(jié)果則顯示，該器件能夠在深紫外光區(qū)域的光電轉(zhuǎn)化效率及探測率大幅度提升。該深紫外光電探測技術(shù)將在刑偵檢測、電網(wǎng)安全監(jiān)測、森林火災告警等領(lǐng)域應用前景廣闊。